|
1
|
| چکیده پایان‌نامه/رساله |
|
هدف: کنترل پذیری
فرکانس کاری و ضریب مغناطوالکتریک در ساختارهای مغناطوالکتریک چندفازی با استفاده
از مهندسی ساختار به عنوان هدف اصلی این رساله در نظر گرفته شده است. با توجه به
کاربردهای روز افزون ساختارهای مغناطوالکتریک به عنوان حسگرهای مغناطیسی، برداشت
انرژی از محیط، آنتن و...، بدست آوردن ساختار بهینه با فرکانس کاری مدنظر در
اولویت قرار دارد.
روش‌شناسی پژوهش: با استفاده از نرم افزار کامسول و تعریف مواد مغناطوتنگش و
پیزوالکتریک به منظور ایجاد ساختارهای مغناطوالکتریک شبیه سازی صورت گرفت. مهندسی
ساختار و استفاده از طرحوارههای میکرونی در دستور کار قرار گرفته و اثرات آن مورد
مطالعه قرار گرفت.
یافته‌ها: ضرایب مغناطوالکتریک و فرکانس کاری مد نظر با استفاده از
مهندسی ساختار بدست آمد. یک شبیه سازی جامع به منظور دستیابی به کاربردهای مختلف
انجام گرفت که طی آن برای کاربردهایی از قبیل حسگر میدان مغناطیسی و برداشت انرژی
ساختارهای بهینه معرفی گردید. همچنین طی شبیه سازی های صورت گرفته ضریب
مغناطوالکتریک VcmOe
4865 در فرکانس Hz 8/2521 بدست
آمد که توانایی حسگری میدان مغناطیسی در حد یک پیکوتسلا را دارا میباشد.
نتیجه‌گیری:این بخش به تشریح دلالت‌هایی می‌پردازد
که بر نتایج می‌توان بیان کرد. این بخش می‌تواند همراه با پیشنهادها، ارزیابی‌ها،
کاربردها، روابط جدید و فرضیه‌های مورد تأیید و رد شده تدوین شود. |
| یک‌شنبه | 1403/05/07 | 14:00 | میثم حق پرست اقجه کند | تاثیر میدان مغناطیسی خارجی فوق ضعیف بر فرکانس تشدید مکانیکی لایه پیزوالکتریک در ساختار مغناطوتنگش | پژوهشکده لیزر و پلاسما | دکتری تخصصی | | محمدمهدی طهرانچی، سیده مهری حمیدی سنگدهی | | عزالدین مهاجرانی، مجید قناعت شعار، محمدحسین مجلس آرا، سیدمحمدحسین خلخالی، |